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IDT70V7339S
High-Speed 512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM
Capacitance (1)
(T A = +25°C, F = 1.0MH Z ) PQFP ONLY
Industrial and Commercial Temperature Ranges
C OUT
Symbol
C IN
(3)
Parameter
Input Capacitance
Output Capacitance
Conditions (2)
V IN = 3dV
V OUT = 3dV
Max.
8
10.5
Unit
pF
pF
5628 tbl 07
NOTES:
1. These parameters are determined by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from 0V to 3V or from 3V to 0V.
3. C OUT also references C I/O .
DC Electrical Characteristics Over the Operating
Temperature and Supply Voltage Range (V DD = 3.3V ± 150mV)
70V7339S
Input Leakage Current
Output Leakage Current
Symbol
|I LI |
|I LO |
V OL (3.3V)
V OH (3.3V)
Parameter
(1)
(1)
Output Low Voltage (2)
Output High Voltage (2)
Test Conditions
V DDQ = Max., V IN = 0V to V DDQ
CE 0 = V IH or CE 1 = V IL , V OUT = 0V to V DDQ
I OL = +4mA, V DDQ = Min.
I OH = -4mA, V DDQ = Min.
Min.
___
___
___
2.4
Max.
10
10
0.4
___
Unit
μA
μA
V
V
V OL (2.5V)
Output Low Voltage
(2)
I OL = +2mA, V DDQ = Min.
___
0.4
V
V OH (2.5V)
Output High Voltage
(2)
I OH = -2mA, V DDQ = Min.
2.0
___
V
NOTES:
1. At V DD < 2.0V leakages are undefined.
2. V DDQ is selectable (3.3V/2.5V) via OPT pins. Refer to page 4 for details.
7
6.42
5628 tbl 08
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